AO4832L场效应管规格:
造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：30 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 20V
功率 - 值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
AO4832L场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。
场效应管应用领域:
1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车
4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器AO4832L场效应管
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