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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：31 A
Rds上漏源导通电阻：39毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：37 nC
Pd-功率耗散：110 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 N沟道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFU3410PBF SP001578398
单位重量：4 g
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低的栅极到漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容，包括有效的COSS来简化设计，（请参见应用笔记AN1001）
•全面表征雪崩电压和电流
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
100 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
31® |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
22 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain CurrentCD |
125 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
110 |
W |
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
3.0 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.71 |
mW°C |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt a> |
15 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case |
––– |
1.4 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB mount)* |
––– |
40 |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
110 |
询价
