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询价产品信息
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IRF9Z24N
- 标准包装 800
- FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- FET特点 Standard
- 漏极至源极电压（VDSS） 55V
- 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 12A
- Rds（）@ ID，VGS 175 mOhm @ 7.2A, 10V
- VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
- 栅极电荷（Qg）@ VGS 19nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）@ Vds的 350pF @ 25V
- 功率 - 3.8W
- 安装类型 Surface Mount
- 包/盒 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商器件封装 D2PAK
- 包装材料 Tape & Reel (TR)
- 包装 3D2PAK
- 渠道类型 P
- 通道模式 Enhancement
- 漏源电压 55 V
- 连续漏极电流 12 A
- RDS -于 175@10V mOhm
- 门源电压 ±20 V
- 典型导通延迟时间 13 ns
- 典型上升时间 55 ns
- 典型关闭延迟时间 23 ns
- 典型下降时间 37 ns
- 工作温度 -55 to 175 °C
- 安装 Surface Mount
- 标准包装 Tape & Reel
- 门源电压 ±20
- 欧盟RoHS指令 Compliant
- 工作温度 175
- 标准包装名称 D2PAK
- 工作温度 -55
- 封装 Tape and Reel
- 漏源电阻 175@10V
- 漏源电压 55
- 每个芯片的元件数 1
- 供应商封装形式 D2PAK
- 功率耗散 3800
- 连续漏极电流 12
- 引脚数 3
- 铅形状 Gull-wing
- FET特点 Standard
- 安装类型 Surface Mount
- 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 12A (Tc)
- 的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
- IRF9Z24N漏极至源极电压（Vdss） 55V
- 供应商设备封装 D2PAK
- 开态Rds（）@ Id ，V GS 175 mOhm @ 7.2A, 10V
- FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 3.8W
- 输入电容（Ciss ） @ VDS 350pF @ 25V
- 闸电荷（Qg ） @ VGS 19nC @ 10V
- 封装/外壳 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IRF9Z24NRoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
- 其他名称 IRF9Z24NSTRLPBFCT
- 工厂包装数量 800
- 晶体管极性 P-Channel
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