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相关产品
产品信息
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STP8NK80ZFP
- 其他相关文件 STP8NK80ZFP View All Specifications
- 标准包装 50
- FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
- FET特点 Standard
- 漏极至源极电压(VDSS) 800V
- 电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.2A
- Rds()@ ID,VGS 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V
- VGS(TH)()@ Id 4.5V @ 100μA
- 栅极电荷(Qg)@ VGS 46nC @ 10V
- STP8NK80ZFP
- 输入电容(Ciss)@ Vds的 1320pF @ 25V
- 功率 - 30W
- 安装类型 Through Hole
- STP8NK80ZFP包/盒 TO-220-3 Full Pack
- 供应商器件封装 TO-220FP
- 包装材料 Tube
- 包装 3TO-220FP
- 通道模式 Enhancement
- 漏源电压 800 V
- 连续漏极电流 6.2 A
- RDS -于 1500@10V mOhm
- 门源电压 ±30 V
- 典型导通延迟时间 17 ns
- 典型上升时间 30 ns
- 典型关闭延迟时间 48 ns
- 典型下降时间 28 ns
- 工作温度 -55 to 150 °C
- 安装 Through Hole
- STP8NK80ZFP标准包装 Rail / Tube
- 门源电压 ±30
- 包装宽度 4.6(Max)
- PCB 3
- 功率耗散 30000
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漏源电压 800
欧盟RoHS指令 Compliant
漏源电阻 1500@10V
每个芯片的元件数 1
工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220FP
标准包装名称 TO-220F
工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.4(Max)
引脚数 3
包装高度 16.4(Max)
连续漏极电流 6.2
封装 Tube
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 50
起订量 1000