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晶体管的结构和分类

    晶体管由两个pn结构成,分成三层,按照p型和n型排列的顺序不同,可分为npn型和pnp型两类,结构示意图和电路符号如下图所示。根据所使用的材料不同,晶体管又可分为npn型锗管和npn型硅管,pnp型锗管和pnp型硅管。
两类晶体管都分成基区、发射区、集电区,分别引出的电极称为基极(b)、发射极(e)、集电极(c)。基区和发射区之间的结称为发射结;基区和集电区之间的结称为集电结。npn型和pnp型符号的区别是发射极的箭头方向不同。
晶体管内部结构上的特点是:发射区杂质浓度 高,即多子浓度 高,体积较大;基区很薄且杂质浓度极低;集电区体积 大,杂质浓度较发射区低。这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。