场效应管不等于MOS管，MOS管只是场效应管的一种；而场效应管只是晶体管的一种，晶体管又分为单极性和双极性晶体管；具体是怎么区分的，请看下面的介绍。
    场效应管(Field Effect Transistor—FET)是单极型晶体管，与双极型晶体管 BJT 都属于晶体管(Transistor)。在双极型晶体管中，载流子包含电子运动，也包含空穴运动，像双重合力一般流向两个极；而在场效应管中，只有一种载流子运动，或者电子或者空穴，流向一个极，因此叫单极型晶体管。
    单极型的场效应管虽然诞生较晚，但从它一出世，就以其自身固有的优点，比如低噪声、高阻低功耗、热稳定性好等，展开了与双极型管的殊死搏斗，两者都能实现放大功能和开关功能，因此在哪些场合用什么，就成了必须讨论的问题。首先在处理器中，也就是数字领域，FET 中的一类叫 MOSFET，以其极低的功耗吸引了科学家和投资者，这使得MOSFET 在初选中就赢得了先机，它的缺点也就被科学家和投资者一一克服。现在的处理器，全部使用 MOSFET 实现，在此领域 FET 完胜对手。在运算放大器、模数转换器、电源模块等模拟器件中，原本属于双极型晶体管的阵地，现在也开始逐步拱手想让。因此，越来越多的用人单位，开始要求高校加大对 FET 的讲解力度。
    虽然如此，双极性晶体管仍有其固守阵地的资本，比如超高频、电流放大能力强、价格便宜、电路成熟、会用的人多，以及其它细微的特点。总之，我们固有的观念一天天被打破——小个子跳高得了——我们不断见到一个个原本属于双极型晶体管优势应用的场合，被 FET 占领。但至少现在，仍不是宣布 BJT 消亡的时刻。